薄膜電容公司帶您了解貼片電容是一種電容材質。貼片電容全稱為：多層(積層，疊層)片式陶瓷電容器，也稱為貼片電容，片容。貼片電容有兩種表示方法，一種是英寸單位來表示，一種是毫米單位來表示。

一，NPO電容器

薄膜電容公司帶您了解NPO是一種Z常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質損耗Z穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

二，X7R電容器

薄膜電容公司帶您了解X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到 125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。

X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。

X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

貼片電容

三，Z5U電容器

薄膜電容公司帶您了解Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率大可達每10年下降5%。

盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。

封 裝 DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

Z5U電容器的其他技術指標如下:

工作溫度范圍10℃ --- 85℃

溫度特性 22% ---- -56%

介質損耗大 4%

四，Y5V電容器

薄膜電容公司帶您了解Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達 22%到-82%。

Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。

Y5V電容器的取值范圍如下表所示

封 裝 DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

Y5V電容器的其他技術指標如下:

工作溫度范圍 -30℃ --- 85℃

溫度特性 22% ---- -82%

介質損耗 大 5%

區(qū)別：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。